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楼主: baful

[k3] 三星的NAND闪存和MXIC的闪存 哪个好?

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发表于 2017-10-16 23:42 | 显示全部楼层
paldier 发表于 2017-10-16 17:52
来你说说三星哪个数据不如mxic了

好了,这下你可以死心了,k3上面那块三星规格上完全败给mx
https://www.right.com.cn/forum/thread-257491-1-1.html
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发表于 2017-10-16 23:42 | 显示全部楼层
zhhf2010 发表于 2017-10-16 21:52
不是的,是梅林的适配问题

k3上那块三星规格上确实不如mx
https://www.right.com.cn/forum/thread-257491-1-1.html
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发表于 2017-10-17 00:46 | 显示全部楼层
我怎么看见MLC了?谁能解说一下
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发表于 2017-10-17 01:41 | 显示全部楼层
az6338890 发表于 2017-10-16 13:58
闪存就那么几个厂,最末 海力士 镁光,中间 闪迪 东芝 顶尖intel 三星
这几年intel nand发力不大,甚至可 ...

厂商都分不清 intel和美光是一个东西 就说现在intel开始扶持小偷现代并使用现代的垃圾颗粒做SSD 而IMF厂还是intel的主力车间 也没看出intel哪顶尖 只是美光生产时要为intel万里挑一 剩下的垃圾自己消化 论产能intel永远超不过美光 毕竟intel是万里挑一的 所以intel的颗粒第三方很少用 基本都是自己用了
三棒也只是产能勇争第一 而它的东西 在没成熟问题多时就敢扔出来卖高价忽悠人 还3bit MLC呢 高级货哈
半导体存储只看一个公司 那就是发明和制定各种标准的闪存之父东芝 没有东芝的隔不了几年的各种发表就不会有你所见到的所有闪存发展轨迹 如果非要说三棒发明的3D颗粒很先进 那么东芝发表3D颗粒是2009年 直到2015年才敢有上市的苗头 而三棒是2014年发表 同年就上市啦(人家官方说是2013年发表 要不就饶它一年吧) 你要说三棒的3D发展速度快 三棒每次更新层数都比东芝晚 可人家东芝就是不急于上市 处于一种茶饭状态 前几年也年年报东芝和韩国厂商的赔偿案 韩国派遣的间谍在东芝工厂里连续活动10余载 因赔款被逼的卖身的现代整个就是一东芝翻版 连量产配置都能通用 三棒作为大寒冥国的光辉一面自然不能去背小偷的锅 但三棒从东芝那偷到的比现代多得多

点评

呵呵,镁光和intel之间可不是这么简单的关系 既然你觉得三棒只是产能第一 也不知道三棒这么差的质量产能第一要卖给谁  详情 回复 发表于 2017-10-21 16:18
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发表于 2017-10-17 01:53 | 显示全部楼层
三星就是质量差的代名词
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发表于 2017-10-21 16:18 | 显示全部楼层
本帖最后由 az6338890 于 2017-10-21 16:27 编辑
spyke 发表于 2017-10-17 01:41
厂商都分不清 intel和美光是一个东西 就说现在intel开始扶持小偷现代并使用现代的垃圾颗粒做SSD 而IMF厂 ...

呵呵,镁光和intel之间可不是这么简单的关系,顺便,你这个理解的话,东芝和闪迪也是一个厂,呵呵哒
既然你觉得三棒只是产能第一
也不知道三棒这么差的质量产能第一要卖给谁
一个实验室/论文谁更早就能比质量了?
顺便三星V-NAND用的是CTF,东芝用的是BiCS
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发表于 2017-10-21 23:28 | 显示全部楼层
东芝和闪迪当然也是一个厂 难道你要进闪迪“厂”不用过东芝的传达室?闪迪使用的底片不是从小白楼里印出来的?3D颗粒发表的也不是实验室论文 而是样片 比的是谁的技术领先 其实就是比层数和容量 并没说谁质量好 东芝现在敢拿15nm的TLC 3D颗粒做U盘 做SSD PE上肯定不如三棒21nm的3D 但三棒敢量产15~16nm的VNAND吗 良品率能保证自己的供货吗
BiCS&CTF只是排列顺序的差异 就像砖头砌墙 每个瓦工都可以有自己的叠加方法 甚至没有差异 比如IPS和PLS

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发表于 2017-10-21 23:41 | 显示全部楼层
好复杂啊。看不懂的
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发表于 2017-10-22 00:48 来自手机 | 显示全部楼层
每次这个问题都会引来骂战
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