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wrt54g v4想改8M的flash,哪些型号的芯片可用?

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发表于 2009-12-29 22:49 | 显示全部楼层 |阅读模式
wrt54g v4现在已经改好64M的内存,现在想改8M的flash,请问哪些型号的flash芯片可用?
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发表于 2009-12-30 02:08 | 显示全部楼层
te28f640
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发表于 2009-12-30 02:09 | 显示全部楼层
e28f640
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发表于 2009-12-30 10:50 | 显示全部楼层
呵呵.不知道那有买啊.哈哈
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发表于 2009-12-30 18:25 | 显示全部楼层
taobao
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 楼主| 发表于 2009-12-31 00:22 | 显示全部楼层
因特尔的e28f640,有j3a和j3c两种,请问用哪个?
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发表于 2009-12-31 00:37 | 显示全部楼层
本帖最后由 kbj305 于 2009-12-31 00:49 编辑
因特尔的e28f640,有j3a和j3c两种,请问用哪个?
chkai1981 发表于 2009-12-31 00:22

看看下图的说明,哪个都可以的,只是生产工艺不一样而已。
Product Features
■ Performance
—110/115/120/150 ns Initial Access Speed
—125 ns Initial Access Speed (256 Mbit
density only)
—25 ns Asynchronous Page mode Reads
—30 ns Asynchronous Page mode Reads
(256Mbit density only)
—32-Byte Write Buffer
—6.8 µs per byte effective
programming time
■ Software
—Program and Erase suspend support
—Flash Data Integrator (FDI), Common
Flash Interface (CFI) Compatible
■ Security
—128-bit Protection Register
—64-bit Unique Device Identifier
—64-bit User Programmable OTP Cells
—Absolute Protection with VPEN
= GND
—Individual Block Locking
—Block Erase/Program Lockout during
Power Transitions
■ Architecture
—Multi-Level Cell Technology: High
Density at Low Cost
—High-Density Symmetrical 128-Kbyte
Blocks
—256 Mbit (256 Blocks) (0.18µm only)
—128 Mbit (128 Blocks)
—64 Mbit (64 Blocks)
—32 Mbit (32 Blocks)
■ Quality and Reliability
—Operating Temperature:
-40 °C to +85 °C
—100K Minimum Erase Cycles per Block
—0.18 µm ETOX™ VII Process (J3C)
—0.25 µm ETOX™ VI Process (J3A)

■ Packaging and Voltage
—56-Lead TSOP Package
—64-Ball Intel
®
Easy BGA Package
—Lead-free packages available
—48-Ball Intel
®
VF BGA Package (32 and
64 Mbit) (x16 only)
—VCC =
2.7 V to 3.6 V
—VCCQ
= 2.7 V to 3.6 V

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 楼主| 发表于 2010-1-1 20:23 | 显示全部楼层
多谢楼上!
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发表于 2010-1-2 15:25 | 显示全部楼层
这个不清楚啊
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发表于 2010-1-2 15:26 | 显示全部楼层
我看看LS是..
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