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本帖最后由 nightknight 于 2019-4-4 13:35 编辑
新拿到k3 d1版，改动散热过程中顺便看了一下三星闪存，型号为samsung 810 K9F1G08U0F scb0。
datasheet显示k9f1g08u0f 为2016年的SLC NAND。
1. 闪存ECC纠错能力
ECC显示为4bit/528B，每528字节可以纠错4bits，跟MX30LF1G18AC一样。
见 http://www.mt-system.ru/sites/default/files/docs/samsung/k9f1g08u0f_1.0.pdf 5.6节 ECC Read Status。
NAND datasheet都有bad blocks一节描述，概况来说就是read时发现ECC出错，软件纠不过来就标记bad block。
再看看其他帖子里的谈到的 三星闪存（不确定 K3是否使用），K9F1G08U0C，K9F1G08U0D，分别是2008，2009年的老产品，ECC只有1bit/528B。
从闪存纠错能力看，三星0F == MX > 三星0C == 三星0D 。
2. 闪存运行温度
K3 D1搭配的三星0F的运行温度高达125摄氏度。其他旧款的2个三星闪存0C和0D也是125度。
K3 MX30LF1G18AC闪存的运行温度最高85摄氏度。
3. 闪存性能
read 性能：MX30LF1G18AC == 三星 0F > 0C > 0D。
write性能：0C > 0D > 0F == mx。4bits ECC保护使得写入更慢。
4. 坏块数量
NAND基本生产出来就或多或少有些坏块，三星0F datasheet承诺出厂<20个坏块。
5. 文件系统
梅林使用的JFFS适合NOR类型闪存，后来支持了NAND，适合小于64MiB的NAND闪存。
官方固件类（原版，管改，管root）使用的YAFFS2只支持NAND闪存，YAFFS2的内存开销，性能，寿命等都优于JFFS。
闪存文件系统都需要针对颗粒进行适配，page，block，layout等这些都不一样。
bad block的dmesg来自文件系统的check。按照三星0F规格，SLC颗粒，擦写寿命高达10万次。
看到的bad block是软错误，很大可能是固件镜像里的文件系统没有针对三星颗粒进行适配。
1. K3 D1版三星0F 闪存可以跟K3 MX版内存一争质量高下。
2. 不看好K3使用JFFS作为底层文件系统，K3使用YAFFS2更优。
3. 应区别MX闪存和三星闪存分别提供可刷固件。
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发表于 2019-4-3 22:50
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